光電探測器是一種將光信號轉換為電信號的設備，然而，當探測器接入電路后，即使沒有任何外來光照射（即全暗條件下），由于熱電子發(fā)射、場致發(fā)射或半導體中晶格熱振動所激發(fā)出來的載流子，也會有電流輸出，這種電流稱為暗電流。暗電流是隨機起伏的，由此在電路中引起的噪聲叫做暗電流噪聲。
當光電探測器工作在光導模式（響應速度更快），暗電流會顯著增大，并與溫度息息相關。溫度每升高10K，暗電流就會成倍增加。施加較大的偏壓會降低結電容，但也會增加當前暗電流的大小，因此在器件選型時需要注意權衡帶寬與噪聲這兩個指標。
另外，當前暗電流也受光電二極管材料和有源區(qū)尺寸的影響。與具有高暗電流的鍺器件相比，硅器件的暗電流通常較小。
圖1：越大的有源區(qū)直徑帶來越大的暗電流；相同的有源區(qū)直徑，制冷能力越強的暗電流越小，來源：濱松G12181系列銦鎵砷光電二極管數據單
圖2：可以見到硅探測器的暗電流相對較低，同樣的，越大的有源區(qū)直徑帶來越大的暗電流，來源：濱松S1226系列硅光電二極管數據單
圖3：硅雪崩光電二極管，固定工作在偏置狀態(tài)下，有源面越小暗電流越小，倒數兩個設備大有源面缺擁有更低的上升時間是因為封裝類型的不同，來源：Excelitas 光子檢測解決方案數據單
雖然偏置狀態(tài)、有源面面積、結電容、封裝類型等等因素均有不同，但不一樣的材料構成的二極管，在暗電流參數上總是有規(guī)律可循。下表給出了幾種光電二極管材料及它們的相關暗電流、響應波段。
材料類型 | 暗電流 | 響應波長（nm） |
硅基光電二極管 | 低 | 200-1100 |
鍺基光電二極管 | 高 | 800-1800 |
磷化鎵光電二極管 | 低 | 紫外至可見光 |
銦鎵砷光電二極管 | 低 | 近紅外 |
銦砷銻光電二極管 | 高 | 近紅外至中紅外（截止至5900） |
波長擴展型砷銦鎵 | 高 | 綠光至近紅外 |
碲鎘汞二極管 | 高 | 近紅外至中紅外 |
表1：不同類型材料的暗電流大小定性判斷以及對應響應波長
